三星的第一代EUV工艺

上一年，三星宣告在其Exynos 9825中运用的7LPP工艺中引入了EUV。经过对芯片的剖析，咱们发现他们在9825中的所谓7LPP工艺与在Exynos 9820中的8LPP工艺之间基本上没有差异。

现在，咱们很快乐地说，咱们在其旗舰产品Galaxy S20中的Exynos 990中发现了三星真实的7LPP工艺。如咱们所料，这款7纳米EUV工艺是迄今观察到的三星密度最高的。

凭仗27nm的fin节距，这一突破性立异使NMOS和PMOS晶体管的3fin/3fin地图可坚持268nm的较小标准单元高度，一起具有高驱动电流。

与台积电的7nm 3/3 7.5T 300nm标准单元高度和 2/2 6T 240nm标准单元高度比较，EUV光刻完成的密度的确更高。

英特尔的10纳米制程具有附近的272nm标准单元高度，可是采用了2/3 的fin数份额。除了节距微缩外，三星还以令人惊奇的完成方法推出了SDB，该SDB缩短了所需的晶体管阻隔间隔，开始宣告SDB会在其6LPP工艺渠道中进行布置。

本文转载自半导体百科。

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